Silicio karbidas yra stiprus kovalentinis junginys, o jo savaiminio difuzijos koeficientas aukštoje temperatūroje yra gana žemas, todėl sunku pasiekti labai aukštą temperatūrą kietosios fazės sukepinimo metu. Silicio karbido keramika - tai, ar skiriasi sukepinimo priemonės be sukepinimo, priklausomai nuo kovalentiškai sujungtų karbidų pobūdžio. Kovalentinis sprendimo pobūdis turi būti santykinai aukštoje temperatūroje ir slėgyje, norint gauti didelį medžiagos tankį, tačiau sukepinti esant aukštai temperatūrai, todėl nenormalus grūdų augimas sukelia makroskopinį įtrūkimą, mechanines medžiagos savybes. Kai pasirenkamas keramikinio sukepinto silicio karbido sukepinimo priedas, švino priedą, pridedamą prie stiklo grūdelių ribinės fazės, reikėtų kiek įmanoma sumažinti. Kai pridėsite sukepinimo priemonę, stenkitės, kad ji tolygiai pasiskirstytų keramikos milteliuose.
Reakcijos būdu sukeptas silicio karbido keramika reiškia, kad keramikos silicio karbidas nesudaro skystosios fazės sukepinimo pagalbai sukepinimo proceso metu, bet kietojo kūno reakcijos metu skatina tankinimą ir prideda B ir C kaip sukepinimo pagalbines medžiagas. Silicio karbidas yra sukepinamas be jokių išorinių slėgio sąlygų keramikų. Pridėjus B ir C, galima žymiai pagerinti puslaidininkių integruotų grandinių sukepinimo dinamiką.
