Silicio karbido keraminė plokštė

Silicio karbido keraminė plokštė

Silicio karbido keraminė plokštė, naudojama bendriems porcelianiniams indams ir keramikos gaminiams (temperatūra žemesnė nei 1 450 laipsnių), yra pagaminta iš SiC, sujungto silicio oksidu (Si2O3), ir techniškai vadinama "Oksidu sujungtu silicio karbidu".
Siųsti užklausą
produkto pristatymas

 

Įvadas

Silicio karbido keraminė plokštė, naudojama bendriems porcelianiniams indams ir keramikos gaminiams (temperatūra žemesnė nei 1 450 laipsnių), yra pagaminta iš SiC, sujungto silicio oksidu (Si2O3), ir techniškai vadinama "Oksidu sujungtu silicio karbidu".

1 

Techninis parametras

Tipinė kokybės analizė

 

Surištas oksidu

SiC (O-SiC)

Maks. darbinė temperatūra (laipsniai)

1450

Cheminė sudėtisSiC ( procentai )

90

SiO2

8

Tariamasis poringumas ( procentais )

7-8

Tūrinis tankis (g/cm3)

2.75

Plyšimo modulis

50

esant RT (Mpa)

1400 laipsnių

55

Šiluminis plėtimasis

4.2-4.8

1000 laipsnių kampu (10-6K-1)

Šilumos laidumas

13.5-14.5

esant 1000 laipsnių (W / mK)

 

Produkto pranašumas

Šis ugniai atsparus SiC turi labai aukštą šilumos laidumą (beveik 10 kartų didesnį nei ugniai atsparus mullitas) ir aukštą ilgosios bangos infraraudonųjų spindulių spinduliuotės greitį, dėl kurio gaminiai yra labai efektyvūs.
Kalbant apie sąnaudas, susijusias su bendrų porceliano dirbinių ir keramikos gaminių degimu, šis oksidu sujungtas SiC yra vertingiausias ir tinkamiausias ugniai atsparus medžiaga. Didžiausia rekomenduojama mūsų SiC plokštės (O-SiC) eksploatavimo temperatūra yra 1 450 laipsnių.

2 


Gamybos įranga

 3


Populiarus Žymos: silicio karbido keraminė plokštė, Kinija, gamintojai, tiekėjai, gamykla, kaina

Siųsti užklausą

whatsapp

Telefono

VK

Tyrimo